SIC Combo JFET Technology General -Ideya和功能

注意到：在具有上级RDS的半导体SIC JFET中（ON）*性能特别适合需要高电流处理能力和低速运动的应用，例如固态断路器和高电流传输系统。由于硅Carba（SIC）材料的出色特性以及JFET的出色结构，较小的电阻和更好的热性能，因此非常适合与许多设备平行连接以管理高电流负载的应用。 SIC组合JFET技术概述，用于需要普通设备的应用，低压硅（SI）MOSFET可以在具有标准开放式碳化硅（SIC）JFET的系列中使用，以创建cascode结构。在此设置中，SIC JFET负责处理高压，而MOSFET则提供恒定功能。这种组合利用了SIC JFET的高性能和MOSFET的易于控制。 ON半组合JFET包括SIC JFET a包装中的低压MOSFET，在满足小尺寸要求的同时，提供了恒定的性能属性。此外，通过各种栅极驱动器调整，组合JFET还提供了诸如GATE驱动器兼容性，更高的可靠性和使用具有5V阈值的硅设备的简化速度控制。组合JFET产品的描述包括包装中的SIC JFET和低压MOSFET，SIC JFET的门和低压MOSFET都可以使用。图1组合JFET结构组合JFET具有许多优点，因为JFET和低压MOSFET门都可以使用。这些优点包括超速驾驶时的RDS（ON）减少，通过外部cascode来简化栅极驱动电路，通过JFET门的电阻调节移动速度，并通过测量栅极源电压的塌陷来监视JFET连接温度。在半SIC组合JFET产品系列表1和图2显示组合JFET产品并提供能够包裹。表1组合JFET产品列表图2组合JFET软件包和分散的功能和优势在半SIC组合JFET设备上表2总结了半SIC组合JFET设备的功能和好处。对于电路保护和多活泼的应用，DV/DT控制很重要。以750V 5mohm收费包（UG4SC075005L8S）设备为例，请检查其静态属性及其动态属性。静态特性如表3所示，在Siconductor SIC JFET的高级SIC JFET技术中，在市场上实现了出色的电气和热性能。表3半组合JFET中半组合JFET的主要参数具有较低的RDS（ON），高IDM和低热电阻性能。低RDS（ON）：ON半组合JFET设备使用SIC JFET技术，RDS（每个单位区域上大大降低）。无效，低压MOSFET对总RD（开）的贡献不到10％。与大多数焊接材料相比，在Semi的组合中，JFET使用了银烧结的模具座技术，该技术将热导率界面提高了六倍，以较小的死亡尺寸实现相同甚至较低的连接点对壳热电阻（RθJC）。产生以下优势：SIC，GAN等）半导体模具和包装零件（接线，铅等）中的电应力，碳化硅在过程中形成的热机械应力的功率中会显着降低，从而将电力的寿命扩大到原始一个。此外，与当今广泛使用的焊料死亡模具（焊料模具）相比，使用了银色模具技术，这是为可靠性做好准备的。固态断路器的门组合JFET的方法具有两种基本控制方法：准cascode驱动模式和直接驱动模式。图5组合JFET驱动器MODE：用于高功率开关模式应用程序的准cascode驱动模式（左）和直接驱动模式（右），除了图3所示的上两个控制方法外，我们还开发并建议使用夹具。或使用最简单的门控制方法使用单个JFET门电阻来调整其移动速度，请参见图4。图6在开关模式应用程序中，组合JFET的控制方法（左：一致的JFET GATE Risistor，右：clampdrive）在半SIC组合JFET上的结论具有超低的RD（ON）和受控的移动速度，从而实现了极好的电效率和电动电动机断路器的密度和高功率低速转移应用程序。它还具有与硅设备相当的功率周期性能（可靠性和使用寿命），该设备比SIC MOSFET高2倍以上。