历史上最快的存储速度！ Fudan University Sub-Nansec

C114新闻4月17日（Yan yi）在AI期间，存储大数据的高速很重要。如何破坏信息速度始终是集成电路领域中最主要的主要问题之一，也是限制AI计算能力上限的主要技术瓶颈。 According to Fudan University, the Zhou Peng-Liu Chunsen team, the National Key Laboratory of Integrated Chip and Systems of Fudan University, the National Key Laboratory of Integrated Chip and Systems, and the Institute of Frontier Technology of Chip and Systems, and the team successfully predicted the super injection phenomenon in the theory by developing a developing a theory by developing a development Quasi-Two-dimensional Poisson Model.基于此，开发的Picsecond闪存的蚀刻速度达到了低于1的纳秒标记（400 picseconds），等于每秒25亿个操作，其性能超过了最快的全球挥发性SRAM技术在相同的技术节点下。相关结果的标题为“由2D增强热载体注入启用的Subnansecond闪存”，并于4月16日晚上北京时间发表在《大自然》杂志上。据说它是当前世界上最快的半导体存储技术，可以实现存储和计算速度，并有望在完成大型集成后完全推翻现有的内存体系结构。基于这项技术，未来的个人计算机将不具有内存和外部内存的概念，并且不需要层次存储，也可能实现AI模型的局部扩展。